فایل ورد (word) بررسي وابستگي موبيليتي به دما و ميدان الکتريکي در ترانزيستورهاي لايه نازک آلي به کمک شبيه سازي دو بعدي دارای 8 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد فایل ورد (word) بررسي وابستگي موبيليتي به دما و ميدان الکتريکي در ترانزيستورهاي لايه نازک آلي به کمک شبيه سازي دو بعدي کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ريختگي احتمالي در متون زير ،دليل ان کپي کردن اين مطالب از داخل فایل ورد مي باشد و در فايل اصلي فایل ورد (word) بررسي وابستگي موبيليتي به دما و ميدان الکتريکي در ترانزيستورهاي لايه نازک آلي به کمک شبيه سازي دو بعدي،به هيچ وجه بهم ريختگي وجود ندارد
بخشی از متن فایل ورد (word) بررسي وابستگي موبيليتي به دما و ميدان الکتريکي در ترانزيستورهاي لايه نازک آلي به کمک شبيه سازي دو بعدي :
نام کنفرانس یا همایش : سيزدهمين کنفرانس دانشجويي مهندسي برق ايران
تعداد صفحات :8
چکیده مقاله:
در سالهای اخیر ترانزیستورهای اثر میدانی به خاطر کاربردهای فراوان شان در الکترونیک آلی مورد توجه بسیاری از محققان قرار گرفته است به منظور درک بهتر و بهینه سازی بازده کارکرد این ادوات شبیه سازی های دقیق و کارآمدی مورد نیاز است در این مقاله ترانزیستورهای اثر میدانی آلی با نیمه هادی آلی پنتاسن شبیه سازی می شود و نتایج شبیه سازی با مقادیر تجربی مقایسه و تحلیل م ی گردد. وابستگی موبیلیتی و ولتاژ آستانه به دما بررسی می شود همچنین اثر میدان الکتریکی بر موبیلیتی ترانزیستورهای آلی به کمک شبیه سازی مورد تحقیق قرار می گیرد.