فایل ورد (word) تأثير ثابت دي الکتريکعايق گيت بر ترانزيستورهاي اثر ميداني نانولوله کربني:بررسي مشخصه انتقال و خروجي دارای 8 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد فایل ورد (word) تأثير ثابت دي الکتريکعايق گيت بر ترانزيستورهاي اثر ميداني نانولوله کربني:بررسي مشخصه انتقال و خروجي کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ريختگي احتمالي در متون زير ،دليل ان کپي کردن اين مطالب از داخل فایل ورد مي باشد و در فايل اصلي فایل ورد (word) تأثير ثابت دي الکتريکعايق گيت بر ترانزيستورهاي اثر ميداني نانولوله کربني:بررسي مشخصه انتقال و خروجي،به هيچ وجه بهم ريختگي وجود ندارد
بخشی از متن فایل ورد (word) تأثير ثابت دي الکتريکعايق گيت بر ترانزيستورهاي اثر ميداني نانولوله کربني:بررسي مشخصه انتقال و خروجي :
نام کنفرانس یا همایش : سيزدهمين کنفرانس دانشجويي مهندسي برق ايران
تعداد صفحات :8
چکیده مقاله:
امروزه ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی به عنوان بهترین گزینه برای جایگزینی ترانزیستورهای سیلیکونی در مدارات الکترونیکی شناخته شده اند. مطالعه روشهای نوین ساخت این ادوات و چگونگی تأثیر پارامترهای ساخت افزاره از مهمترین زمینه های پژوهشی در این نوع از ترانزیستورها بوده است. یکی از عوامل تأثیر گذار بر عملکرد این افزاره، اثر ثابت دی الکتریک عایق گیت، به ویژه در ناحیه زیر آستانه معکوس و اشباع معکوس، برمشخصه ترانزیستور است. بررسی نتایج حاصل از شبیه سازی نشان می دهد که افزایش ثابتدی الکتریکعایق گیت بر شیب زیر آستانه ترانزیستور چندان تأثیر گذار نیست. اما ترارسانایی و ولتاژ آستانه ترانزیستور را تغییر می دهد. همچنین هدایت خروجی، جریان اشباع معکوس و نرخ جریان حالت روشن به خاموشبه طور چشمگیر تغییر می کنند. در این مقاله نرخ جریان در دو ولتاژ گیت 0,4 و 1 ولت به عنوان ولتاژ عملکردی ترانزیستور بررسی می گردد. افزاره یک ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با گیت هم محور بوده که توسط شیوه تابع گرین غیر تعادلی شبیه سازی می گردد.