فایل ورد (word) بررسي يک ساختار جديد از ترانزيستور اثرميداني تونلي بدون اتصال ناهمگن CdTe / Ge دو گيتي با نوسانات زير آستانه کم، جريان حالت خاموش کم و جريان حالت روشن بالا دارای 12 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد فایل ورد (word) بررسي يک ساختار جديد از ترانزيستور اثرميداني تونلي بدون اتصال ناهمگن CdTe / Ge دو گيتي با نوسانات زير آستانه کم، جريان حالت خاموش کم و جريان حالت روشن بالا کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ريختگي احتمالي در متون زير ،دليل ان کپي کردن اين مطالب از داخل فایل ورد مي باشد و در فايل اصلي فایل ورد (word) بررسي يک ساختار جديد از ترانزيستور اثرميداني تونلي بدون اتصال ناهمگن CdTe / Ge دو گيتي با نوسانات زير آستانه کم، جريان حالت خاموش کم و جريان حالت روشن بالا،به هيچ وجه بهم ريختگي وجود ندارد
بخشی از متن فایل ورد (word) بررسي يک ساختار جديد از ترانزيستور اثرميداني تونلي بدون اتصال ناهمگن CdTe / Ge دو گيتي با نوسانات زير آستانه کم، جريان حالت خاموش کم و جريان حالت روشن بالا :
سال انتشار : 1397
نام کنفرانس یا همایش : هفتمين همايش مهندسي برق مجلسي
تعداد صفحات :12
چکیده مقاله:
در این مقاله یک ساختار جدید از ترانزیستور تونلی با تکنولوژی سیلیسیم بر روی عایق ارایه شده است. در این ساختار ماده کادمیوم تلوراید به عنوان ناحیه کانال و درین و ماده ژرمانیوم به عنوان ناحیه سورس در نظر گرفته شده اند. ماده ژرمانیوم در سمت سورس گاف انرژی کوچکی به اندازه 067 الکترون ولت دارد که زمانی که افزاره روشن است باعث تونل زنی بالای جریان می شود، بنابراین جریان حالت روشن بالاست. از طرفی وجود ماده کادمیم تلوراید در سمت درین که دارای شکاف باند 145 الکترون ولت می باشد باعث تونل زنی پایین تر می شود، بنابراین جریان نشتی پایین تر می باشد. این رفتار باعث می شود که نسبت کلی lon / IoFF ، در ترانزیستور پیشنهادی در مقایسه با افزاره اولیه بهبود بخشیده شود. نتایج ما با شبیه ساز اطلس نشان میدهد که در ساختار پیشنهادی مشخصه های الکتریکی در مقایسه با ساختار اولیه بهبود یافته است. در ساختار پیشنهادی، جریان حالت روشن و حالت خاموش به ترتیب 3-10 547 و 14-10 1 , 127 آمپر بر میکرومتر، نسبت جریان حالت روشن /جریان حالت خاموش 1012 448 و شیب زیرآستانه 22888 می باشند. از طرفی به دلیل افزایش جریان درین مقدار ترارسانایی و هدایت خروجی افزایش یافته اند. بنابراین می توان کاربردهای ترانزیستورهای تونلی را با استفاده از ترانزیستور تونلی بر پایه کادمیوم تلوراید - ژرمانیوم گسترش داد.